ENJ2005-B半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：

設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電流和測(cè)試范圍。支持電流階梯升級(jí)至1250A。采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸 入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。被測(cè)器件引腳接觸自動(dòng)判斷功能。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試工裝，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電 纜長(zhǎng)度引起的壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。 面板顯示裝置可及時(shí)顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果,前面板的功能按鍵方便了系統(tǒng)操作。通過(guò)功能按鍵，系統(tǒng)可以脫離主控計(jì)算機(jī)獨(dú)立完成多種工 作。系統(tǒng)提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設(shè)備的連接使用。

ENJ2005-B半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

擊穿參數(shù)：BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS、

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合參數(shù)：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF      

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

基礎(chǔ)配置：

測(cè)試范圍：

測(cè)試范圍：